| 教員氏名 | ：生地 文也 |
|---|---|
| ローマ字 | ：Shoji Fumiya |
| 所属学部 | ：工学部 メカエレクトロニクス学科 |
| 所属学科 | ： |
| 研究室 | ：第２学舎３階 |
| 研究室電話番号 | ：093-693-3247（487） |
| 研究室FAX番号 | ： |
| メールアドレス | ：shoji@kyukyo-u.ac.jp |
| 学生諸君へ | 材料科学工学：真空技術により、高機能薄膜材料の創製に取り組んでいます。高度な薄膜創製技術は、ナノ技術分野のみならずエネルギー、環境、ＩＴ、バイオ分野の新展開に重要です。現在、独自の真空技術により、学部生、院生と透明導電性薄膜、新規なカーボン微粒子、およびダイヤモンド薄膜の創製などに取り組んでいます。
世界が注目するような、新材料を創る、あるいは新現象を見つける。そんな夢を学生・院生と一生に追いかけている毎日です。今は、原子・分子から目的の機能を持つ材料を創るというコンセプトのもと、電子・イオンをキーワードに、プラズマを利用したナノ材料の創製に取り組んでいます。教員と響きあって“明日を拓く技術・創造力の獲得”をめざそう。自ら疑問を発し、自ら求める姿勢から、本当のことがようやく見えてくる。そのために、先ず、自ら動くということから始めよう。そこから事が始まる。社会が求める技術・創造力の獲得が始まる。 |
|---|---|
| 取得学位 | 工学博士(大阪大学） |
| 学歴 | 昭和36年 4月 大阪工業大学機械工学科入学
昭和40年 3月 大阪工業大学機械工学科卒業 |
| 専門分野 | 物性工学 |
| 所属学会名 | 昭和44年～現在 応用物理学会正会員
昭和54年～現在 日本物理学会正会員 昭和51年～現在 日本真空協会会員 平成3年～現在 MRS（アメリカ材料学会）会員 平成7年～平成15年 ニューヨーク科学アカデミー会員 平成7年～平成9年 応用物理学会表面･薄膜分科会幹事 平成9年～平成11年 応用物理学会表面･薄膜分科会幹事 平成9年～平成16年 計測自動制御学会正会員 平成11年～現在 電子情報通信学会正会員 |
| 教育研究社会活動の概要 | 高度な真空技術により、高機能薄膜材料の創製に取り組んでいる。高度な薄膜創製技術は、ナノ技術分野のみならずエネルギー、環境、ＩＴ、バイオ分野の新展開に重要である。現在、独自の真空技術により、学部生、院生と透明導電性薄膜、新規なカーボン微粒子、およびダイヤモンド薄膜の創製に取り組んでいる。また、”未来材料研究サークル”において、学部生と新規な薄膜センサーを開発している。 |
| 担当授業科目 | 【九州共立大学】
工学部メカエレクトロニクス学科 工学部メカエレクトロニクス学科 メカエレクトロニクス実験Ⅰ 工学部メカエレクトロニクス学科 工業材料 工学部メカエレクトロにクス学科 物性工学 工学部メカエレクトロニクス学科 モノつくり 工学部メカエレクトロニクス学科 メカエレクトロニクス実験Ⅱ 【九州共立大学大学院】 博士前期課程 大学院工学研究科電子情報工学専攻 電子物性特別研究 大学院工学研究科電子情報工学専攻 電子物性特別実験 大学院工学研究科電子情報工学専攻 電子物性特論 大学院工学研究科電子情報工学専攻 電子材料特論 博士後期課程 機械電子システム工学専攻 電子物性機能講究 |
| 学内における委員会活動等 | 大学院工学研究科長
図書運営委員・図書紀要委員 |
| 社会貢献・国際連携等 | 平成12年6月～平成13年6月 中国遼寧工学院客員教授
平成15年11月～平成18年12月、客員研究員の受入（遼寧工学院 羅 蘇寧教授） |
| 種類 | 著書・学術論文の名称 | 単著共著 | 発行年月等 | 発行所等 | 概要 |
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| 学術論文 | ＳｉＣ（0001）表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 | 共著 | 2008.7. | 表面科学，29（2008）418 | SiC基板を超高真空中で加熱すると，ＣＮＴとＣＮＦがSiC表\面上に形成される。しかし，酸素雰囲気中で加熱すると，ＣＮＦは形成されない。これらの結果は，SiC表\面分解法においてはＣＮＴ形成に酸素が必要であることを示している。（米久保喜彦，上田大志，山内貴志，碇 智徳，内藤正路，西垣 敏，大門秀朗，生地文也） |
| 学術論文 | Fabrication of low resistivity tin-doped indium oxide films with high electron carrier densities by a plasma sputtering method | 共著 | 2008.. | Vacuum ( in press ) | 熱陰極プラズマスパッタ法を使ってガラス基板上に作製したＩＴＯ膜の電気特性を調べている。その結果，単位立方センチメートル当り2.1×10E21のキャリア密度を有する9.7×10E-４ΩｃｍのITO膜がえらる成膜条件を見出している。さらに，基板表\面におけるITOの初期成長層が，厚い膜厚領域の電気特性を支配していることを明らかにしている。（Akihiko.Kono,Zongbao Feng,Norimoto Nouchi,and Fumiya Shoji) |
| 学術論文 | Growth mechanism for spherical carbon particle in a dc methane plasma | 共著 | 2008.5. | Physics of Plasmas, 15(2008)050702 | メタン／アルゴン柱状プラズマ直下に置いた高温シリコン基板上で見出された真球度の高いミクロンサイズの球状カーボン粒子の成長メカニズムを展開している。我々は，このような粒子はプラズマシース領域において負に帯電し，それに作用するシース電場と重力場の均衡によりそこに長く留まり，その領域に豊富な正に帯電した約10ｎｍのグラファイトオニオンを捕集して成長すると考えている。また，このような粒子は働いている力の均衡が破れたとき，シリコン基板表面に落下すると考えている。さらに，粒子の重心はシース領域においてシース電場と重力場に固有な振動運動をおこなっていると考えている。（T. Nagai, Z. Feng, A. Kono, and F. Shoji） |
| 学術論文 | SiC(0001)-(3x3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 | 共著 | 2008.3. | J. Vac. Soc. Jpn, vol.51,No.3,2008 | 走査トンネル顕微鏡，ｘ線光電子分光法，およびオーゼ電子分光法を使って，6H-SiC(0001)-(3x3)の清浄表面および水素終端表面における銅フタロシアニン分素の吸着プロセスを調べている。 （田中圭介，碇 智徳，内藤正路，西垣 敏，生地文也） |
| 学術論文 | An STM Observation of Adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line Structures | 共著 | 2007.6. | Surface Review and Letters,14(2007)957-961 | 走査トンネル顕微鏡を使って，Ｓｉ（１００）表\面上のＢｉライン構\造と銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）分子の反応ダイナミクスを調べとともに，Ａｇや水素における反応ダイナミクスとも比較している。ＣｕＰｃ分子を室温吸着させると，Ｂｉラインの近くのテラスにｃ（４ｘ４）超格子構\造が現れ，また，この領域は２００－４００度の熱処理によって大きくなることを明らかにしている。 (S.Nakamura,S.Kashirajima,Y.Johdai,Y.Yoshiiwa,T.Ikari,and F.Shoji) |
| 学術論文 | Spherical carbon liquids generated in a low pressure CH4/Ar plasma | 共著 | 2007.5. | Applied Physics Letters,90(2007)221503-1--221503-3 | メタンとアルゴンの混合ガスを使った低ガス圧柱状プラズマのシース空間で形成される球状カーボン微粒子は液体状態であることをＳＥＭ観察によって初めて明らかにしている。また，ＳＥＭ観察結果を基に，球状カーボン微粒子はシース空間でクーロン結晶をなして集団運動していることを示している。(Zongbao Feng, Akihiko Kono, Tatsuzo Nagai, and Fumiya Shoji) |
| 学術論文 | Cooperative dehydriding mechanism in a mechanically milled Mg-50mass%ZrMn2composite | 共著 | 2007.1. | Journal of Alloys and Compounds,455(2008)385-391 | 水素雰囲気での反応性ミリング法によって作製したMg-50mass%ZrMn2の構\造と水素化特性をＸＲＤ，ＳＥＭ／ＥＤＳとＴＧ／ＤＴＡを使って調べている。ミリングにおける回転速度や処理時間の最適条件を調べ、400rpmで１時間の処理で作製された場合についてMgH2,Mg,ZrMn2Hxの形成を確認し、275℃で2.6mass%の水素吸着効果を見出している。共同水素化メカニズム (Y.Makihara,K.Umeda,F.Shoji,K.Kato,Y.Miyairi) |
| 学術論文 | Effective creation of oxygen vacancies as an electron carrier source in tin-doped indium oxide films by plasma sputtering | 共著 | 2006.12. | Journal of Applied Physics,100(2006)113701 | 透明導電性薄膜として知られているＩＴＯ膜の電気伝導性の改善を、成膜中の酸素欠陥制御によって試みている。プラズマガスに僅かな水素を混ぜることで、成膜中、膜の還元に伴う欠陥形成による電子キャリア増加を実現し、電気特性の改善に結び付けている。さらに、ガラス基板表\面の酸素引き抜き反応を見出している。 S.L.Luo,A.Kono,N.Nouchi, and F.Shoji |
| 学術論文 | Spherical carbon particle growth in a methane plasma | 共著 | 2006.11. | Applied Physics Letters,89(2006)171504 | メタン／アルゴン低圧柱状プラズマ法による独自の炭素物質創製において、新規な球状炭素微粒子形成を見出している。最大２μｍの真球性の良い粒子形成が確認されている。このような球状炭素粒子はプラズマシース内で粒子に働く静電力と重力のバランス保たれる限り成長を続けるが、プラスマを切ると基板に落下するというモデルにより説明できることを示している。 F.Shoji, Z.Feng, A.Kono, and T.Nagai |
| 学術論文 | Influence of surface struxcture modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(0001) surfaces | 共著 | 2006.5. | Surface Science,600(2006)4077 | SiC表\面上のカーボンナノチューブ形成過程を走査トンネル顕微鏡および透過電子顕微鏡を使って調べ、表\面の欠陥なしのグラファイト層がカーボンナノチューブ成長の前駆体形成をさまたげることを明らかにしている。 （T.Yamauchi,T.Tokunaga,M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji,M.Kausunoki） |
| 学術論文 | Morphological change of Co-nanodot on SiO2 by thermal treatment. | 共著 | 2006.3. | Thin Solid FilmsVol.508, pp.178-181. | SiO2層上に形成されるCo ナノドットの表面形態変化に及ぼす熱処理効果について調べている。CoナノドットはSiO2表面上にＭＢＥ法によって成長させ、その表面を500℃～800℃でアニールし、表面形態を観察している。表面は、低速イオン散乱法でも調べ、最外層の組成についても言及している。（ＩＳＳによる表面最外層の観察と結果の解析を担当）（Ueda, Koji; Sadoh, Taizoh; Kenjo, Atsushi; Shoji, Fumiya; Sato, Kaoru; Kurino, Hiroyuki; Koyanagi, Mitsumasa; Miyao, Masanobu.） |
| 学術論文 | STM and LEED analysis of 6H-SiC(0001) surface reconstructions. | 共著 | 2005.3. | 表面科学vol.25, pp. 519-520. | 6H-SiC（0001）表面のグラファイト成長初期過程についてＳＴＭとＬＥＥＤを用いて研究を行った。6H-SiC（0001）表面を1050℃でアニールすると、(4 ´ 4) 構造が現れることがわかった。ＳＴＭ観察においては、6H-SiC（0001）表面上に形成されたグラファイト上に(4 ´ 4)周期を持つprotrusionが多数観察されることを明らかにした。（研究計画、結果の解析を担当）(Takuma Ono,Masamichi Naitoh,Satoshi Nishigaki,Naotake Toyama, and Fumiya Shoji) |
| 学術論文 | Evidence of dissociative collision induced diatomic and triatomic hydrogen ion formation from hydrocarbon ion interaction with silicon surface. | 単著 | 2004.10. | The Journal of Chemical Physics.Vol.121,N0.15, pp.7053-7056. | 清浄なＳｉ（１００）表面すれすれに１０００ｅＶのメタンイオンを入射させ、メタンイオンの解離・散乱過程を調べた。その結果、散乱角度を１５⁰以下にすると、散乱粒子に三水素原子分子イオンが生成する事実を見いだした。（研究全体を担当）（Shoji, Fumiya.） |
| 学術論文 | Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100) | 共著 | 2004.8. | Thin Solid FilmsVol.461(2004) 116-119 | 鉄蒸着反応法により、Ｓｉ（１００）上にβ-FeSi2を形成させ、その表面をＬＥＥＤおよびＩＳＳで解析した。10Ａ程度鉄を蒸着したあと、540℃でアニールするとβ-FeSi2がエピタキシヤル成長することをつきとめた。また、この表面はシリコンリッチであることがわかった。このエピタキシャル層をテンプレートとして、結晶性の良い厚い-β-FeSi2層が成長することを明らかにした。（研究の計画、結果の解析、研究の総括を担当）（Fumiya Shoji, Hiroyuki ,Shimoji, Yoshikazu Makuhara,Masamichi Naitoh） |
| 学術論文 | STM and LEED analysis of reconstructions on the 6H-SiC(000-1) surface. | 共著 | 2003.6. | 真空、vo.l46, N0.6pp. 505-508. | 6H-SiC (000-1)表面のグラファイト化の初期過程をＬＥＥＤとＳＴＭを使って調べている。９５０℃と１０００℃で6H-SiC (000-1)表面を熱処理すると（３ｘ３）と（２ｘ２）の超格子構造が現れること、また、特長的なＳＴＭ像は二枚のグラファイト層の異なった重なりによって説明できることを明らかにしている。（結果の解析を担当）（Kitada, Masatoshi; Naitoh, Masamichi; Nishigaki, Satoshi; Toyama, Naotake; Shoji, Fumiya.） |
| 学術論文 | An STM observation of Bi-nanowire growth on Si(100) surface. | 共著 | 2003.6. | 真空、vo.l46, N0.6pp. 501-504., | ４００℃以上に保持したＳｉ（１００）表面上に蒸着したＢｉ原子が、表面最外層においてＢｉダイマーから成るⅠ次元ナノワイヤを自己組織的に作ることを高温ＳＴＭによって明らかにしている。（Bi蒸着および、結果の検討を担当）（Ohgaki, Shinji; Takei, Motoki; Naitoh, Masamichi; Nishigaki, Satoshi; Oishi, Nobuhiro; Shoji, Fumiya.） |
| 学術論文 | Ｓcanning tunneling microscopy observation of Bi-induced surface structure on the Si(1oo) surface | 共著 | 2001.8. | Surface.Science vol.482-485, pp.1440-1444 | Si(100)表面にＢｉを吸着させて形成される表面構造を走査トンネル顕微鏡で調べている。５００℃の表面にＢｉを吸着させると、Ｓｉ（１００）の最表面に何本ものＢｉダイマーチエンから成る長いベルトが形成されることが見出される。一方、室温表面にＢｉを吸着させ、そして直ちに加熱するとＢｉで覆われたテラスに深い窪みが形成されることが見出される。この結果はＢｉ膜内のひずみに因るとして説明できる。（Bi蒸着および、結果の検討を担当）（Masamiti Naitoh, Motoki Takei,Satoshi Nishigaki,Nobuhiro Oishu,Fumiya Shoji） |
| 学術論文 | Ｅffect of the hydrogen on the electrical properties of Indium-Tin-Oxide films by Ar-plasma sputtering. | 共著 | 2001.7. | Proc.of 6th Int. Sym. on Sputtering and Plasma Processes (ISSP2001)pp.379-382 | 電子励起プラズマスパッタリング法により作製したＩＴＯ膜について、その電気的特性に及ぼす水素の影響を調べている。Ａｒプラズマに0.2%の水素を混入させると、膜の比抵抗が改善され、1.7x10-4 Ω・ｃｍにまで下がることを見出している。このような結果を、水素による成膜中の還元作用によるとして説明している。膜の移動度、キャリア密度についても測定し、比抵抗との関連を考察している。（実験計画、膜作製、電気特性測定を担当）（Hitomi Enokida, Fumiya Shoji, Noritomo Nouchi, Luo Suning） |
| 学会発表 | Growth of Spherical Carbon Particles in the Low-pressure Methane Plasma of Columnar Shape | 共著 | 2007.1. | 第24回プラズマプロセシング研究会予\稿集, p.115 | 馮宗宝, 河野昭彦, 長井達三, 生地文也 |
| 学会発表 | Fabrication of Highly-conducting Tin-doped Indium Oxide Films by a Hot-cathode Plasma Sputtering Method | 共著 | 2007.1. | 第24回プラズマプロセシング研究会予\稿集, p.117 | 河野昭彦, 羅蘇寧, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也 |
| 学会発表 | ITO膜の膜成長に伴う酸素空孔形成と高いキャリア電子密度 | 共著 | 2007.3. | 第53回応用物理学関係連合講演会講演予\稿集第2巻, p.665 | 河野昭彦, 羅蘇寧, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也 |
| 学会発表 | ITO膜の膜成長初期における酸素空孔形成とそれに伴う電気特性 | 共著 | 2007.9. | 第68回応用物理学会学術講演会予\稿集第2巻, p.630 | 河野昭彦, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也 |
| 学会発表 | スパッタ法による透明導電性酸化物薄膜の開発に関する研究 | 共著 | 2007.11. | 応用物理学会九州支部シンポジウム 低環境負荷電子材料＆環境デバイス講演資料集 | 河野昭彦, 生地文也 |
| 学会発表 | 熱電子励起プラズマスパッタ法によるAlドープZnO (AZO) 膜の電気特性 | 共著 | 2007.12. | 平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会講演会予\稿集第33巻, 137 | 河野昭彦, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也: |
| 学会発表 | スパッタ法による低抵抗ITO膜形成におよぼす酸素空孔の影響 | 共著 | 2008.3. | 第55回応用物理学関係連合講演会予\稿集第2巻, 613 | 河野昭彦, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也: |
| 学会発表 | 熱電子励起プラズマスパッタ法によるAlドープZnO (AZO) 膜の電気特性 (Ⅱ) | 共著 | 2008.6. | 第13回九州薄膜・表\面研究会 | 河野昭彦, 馮宗宝, 能\智紀台, 生地文也 |
| 学会発表 | Synthesis of Spherical Carbon Particles of Micron Size from a DC Methane/Ar Plasma | 共著 | 2007.8. | 18th International Symposium on Plasma Chemistry, Japan (2007),Kyoto | Z. Feng, A. Kono, T. Nagai, and F. Shoji |
| 学会発表 | Fabrication of low resistivity tin-doped indium oxide films with high electron carrier densities by a plasma sputtering method | 共著 | 2007.6. | The 9th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Japan (2007), kanazawa | A. Kono, Z. Feng, N. Nouchi, F. Shoji |
| 学会発表 | プラズマCVDによる巨大球状炭素微粒子の成長Ⅱ | 共著 | 2006.8. | 第67回応用物理学会学術講演会 | 馮宗宝，河野昭彦，長井達三，生地文也 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法による低抵抗ITO膜を導くテンプレートの可能\性について | 共著 | 2006.8. | 第67回応用物理学会学術講演会 | 河野昭彦，羅蘇寧，馮宗宝，能智紀台，生地文也 |
| 学会発表 | メタンプラズマCVDによる巨大球状炭素微粒子の形成メカニズム | 共著 | 2006.6. | 第11回九州薄膜・表\面研究会 | 馮宗宝，河野昭彦，長井達三，生地文也 |
| 学会発表 | 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜, | 共著 | 2006.4. | 電子情報通信学会 研究会 | 河野 昭彦 羅 蘇寧、村上 達大 生地 文也 |
| 学会発表 | シリコン表面におけるメタン分子イオンの結合組替え解離散乱 | 単著 | 2006.3. | 日本物理学会、第61回年次大会、 | 生地文也 |
| 学会発表 | プラズマＣＶＤによる巨大球状炭素微粒子成長 Ⅰ | 共著 | 2006.3. | 第53回応用物理学関係連合講演会 | 馮 宗宝, 長井達三、生地 文也 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法によるガラス上の薄いITO膜の異常なキャリア生成 | 共著 | 2006.3. | 第53回応用物理学関係連合講演会、2006年春 | 河野 昭彦,羅 蘇寧,馮 宗宝1,能智 紀台,生地文也 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法によるＩＴＯ薄膜の電気特性に及ぼす水素の影響Ⅲ | 共著 | 2005.3. | 第５２回応用物理学会関係連合講演会 | 河野昭彦、羅蘇寧、馮宗宝、能智紀台、生地文也 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法によるＩＴＯ薄膜の電気特性に及ぼす水素の影響Ⅱ | 共著 | 2005.9. | 第66回応用物理学会学術講演会 | 河野昭彦、羅蘇寧、馮宗宝、榎木田仁水、生地文也 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法によるガラス上のＩＴＯ膜の特異な電気的性質 | 共著 | 2005.11. | 応用物理九州支部学術講演会、 | 河野昭彦、羅蘇寧、馮宗宝、能智紀台、生地文也、 |
| 学会発表 | 表面分解法による6Ｈ-ＳｉＣ面のカーボンナノチューブ成長過程、 | 共著 | 2005.11. | 応用物理九州支部学術講演会 | 山内貴志、上田大志、徳永孝行、内藤正路、西垣敏、遠山尚武、生地文也、楠美智子 |
| 学会発表 | プラズマスパッタ法によるＩＴＯ薄膜の電気特性に及ぼす水素の影響 Ⅰ、 | 共著 | 2004.9. | 第65回応用物理学会学術講演会 | 羅蘇寧、馮宗宝、榎木田仁水、河野昭彦、生地文也 |
| 学会発表 | 低圧柱状プラズマＣＶＤ法による炭素薄膜の形成と特性 Ⅰ | 共著 | 2004.9. | 第65回応用物理学会学術講演会、 | 馮宗宝、羅蘇寧、長井達三生地文也、 |
| 学会発表 | ＤＬＣ膜の低温形成法とガラス上コーテイング特性 | 共著 | 2003.9. | 応用物理学会全国大会、 | 仲上和憲、生地文也、 |
| 学会発表 | 低ガス圧柱状プラズマによるＤＬＣ膜の低温形成 | 共著 | 2003.12. | 応用物理学会九州支部講演会、 | 仲上和憲、長井達三、能智紀台、生地文也、 |
| 学会発表 | 電子励起Ar/H2プラズマ法によるITO膜の特性、 | 共著 | 2003.12. | 応用物理学会九州支部講演会、 | 河野昭彦、仲上和憲、榎木田仁水、生地文也 |
| 学会発表 | プラズマ反応法によるＤＬＣ膜の低温形成と膜物性、 | 共著 | 2002.11. | 応用物理学会九州支部講演会、 | 仲上和憲、衣笠良、長井達三、古川昌司、生地文也、 |
| 学会発表 | Si表面上におけるβ－FeSi2形成とその表面構造、 | 共著 | 2002.11. | 応用物理学会九州支部講演会、 | 下地 博之,生地文也 |
| 学会発表 | Si(100)表面におけるβ－FeSi2形成とLEED-LEIS観察 | 共著 | 2002.9. | 第63回応用物理学会学術講演会 | 下地博之、生地文也 |
| 学会発表 | 電子励起メタンプラズマＣＶ法による炭素系薄膜の低温形成 | 共著 | 2002.9. | 第63回応用物理学会学術講演会 | 衣笠 良、永井達三、生地文也 |
| 学会発表 | 低エネルギーイオン衝突反応法によるFe薄膜表面の窒化（１）－装置構成と特性- | 共著 | 2001.10. | 第54回電気関連学会九州支部連合大会 | 下地 博之、生地文也 |
| 学会発表 | 熱電子励起メタンガスプラズマ法による炭素系薄膜の低温形成（１） | 共著 | 2001.10. | 第54回電気関連学会九州支部連合大会、 | 衣笠 良、永井達三、生地文也 |
| 学会発表 | Dissociative scattering of low-energy methane ion from silicon surfaces | 単著 | 2004.10.22 | Ise-Shima,Japan | 会議名「15th International workshop on Inelastic Ion-surface Collisions」Fumiya Shoji |
| 学会発表 | Formation of Si(100)-1x1 –Bi phase by a mass-analyzed low-energy ion deposition method | 共著 | 2003.11.20 | Nara, Japan | 会議名「The 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces,Interfaces and Nanostructures」Fumiya Shoji,Kazunori Nakagami and Masamichi Naitoh |
| 学会発表 | Surface analysis of β-Fe2Si2 layer epitaxially grown on Si(100 | 共著 | 2003.10.13 | Yokohama,Japan | 会議名「The 8th IUMRS International Conference on Advanced Materials」Fumiya Shoji,Hiroyuki Shimoji,Yoshikazu makihara and Masamichi naitoh |
| 学会発表 | Scanning tunneling microscopy observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(0001) surface. | 共著 | 2001.9.16 | Tsukuba, Japan | 会議名「Yamada Conference LⅦ on Atomic-scale surface designing for functional low-dimentional materials,」M.Naitoh, M.Kitada, S.Nishigaki, N.Toyama, and F.Shoji |
| 学会発表 | Very-low energy Bi ion collision induced surface phases on Si(100) and Si(111). | 共著 | 2001.8.3 | Paris, France | 会議名「9th International Conference of Atomic Collision of Solids,」F.Shoji, H.Shimoji, S.Morimoto and M.Sanada |
| 学会発表 | An STM investigation of formation of Bi nano-wires on a Si(100) surface. | 共著 | 2001.7.20 | The University of British Colombia, Vancouver, Canada. | 会議名「STM’01 Eleventh International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/ Spectroscopy and Related Techniques」M.Takei, S.Ohgaki, M.Naitou, S.Nishigaki, N.Oishi, and F.Shoji |
